Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SC5855.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 600 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 8,0/16 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 5,0 А | 3,8 | — | 8 | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5 A, Ib = 1,3 А | — | — | 5,0 | В |
Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | — | 6,0 | А |
Ib | Ток базы | — | — | — | 4,0 | А |
Tf | Время спада импульса | F = 64 кГц | — | 0,15 | 0,3 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: