
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод.
- Изолированный корпус.
- Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SC5339.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 600 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 8,0/16 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 А | 8 | — | 25 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5 A, Ib = 1,3 А | — | — | 5,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | — | 2 | А |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | IF = 5,0 А | — | 1,35 | 1,8 | В |
| Tf | Время спада импульса | F = 31,55 кГц | — | 0,2 | 0,5 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: