Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
Vebo | Напряжение эмиттера-база | — | — | — | 6 | В |
Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 8,0 | А |
Ip | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 16 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
V(br)ceo | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Ic = 10,0 мА, Rbe = ∞ | 800 | — | — | В |
V(br)ebo | Напряжение пробоя эмиттер-база | Ie = 600 мА, Ic = 0 | 6 | — | — | В |
Ices | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В | — | — | 500 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 5,0 А | 4 | — | 7 | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А | — | — | 5 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А | — | — | 1,5 | В |
Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | IF = 8 А | — | — | 2 | В |
Tf | Время спада импульса | Ic = 5,0 А, Ib = 1,0 А, F = 31,5 кГц | — | 0,2 | 0,4 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: