2SC5353 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC5353 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC5353 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 900 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 7 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный — — — 3,0/5,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 25 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,15 А 15 — — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А — — 1,0 В
Ib Ток базы — — — 1,0 А
Tr/Tf Время нарастания/спада — — 0,5 0,7/0,5 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.