Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 750 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 17/34 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 75 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 14 А | 5 | — | 8 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 14 A, Ib = 3,5 А | — | — | 3,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | — | 14 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 8,5 | А |
| Tf | Время спада импульса | F = 64 кГц | — | 0,15 | 0,3 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: