2SD1886 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SD1886 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SD1886 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 8 А
Icp Ток коллектора импульсный 30 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 70 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcе = 1500 В 1,0 мА
Vcb = 800 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 8
Vce = 5 В, Ic = 6,0 A 5 10
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6,0 A, Ib = 1,2 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 6,0 A, Ib = 1,2 А 1,5 В
Tf Время спада импульса Ic = 6 А, Ib = 1,2 А 0,1 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.