Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
- Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SD2599.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 600 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 3,5 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 40 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 А | 8 | — | — | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 2,2 A, Ib = 0,7 А | — | — | 1,0 | В |
| FT | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Ic = 0,1 А | — | 3 | — | МГц |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 1,0 | А |
| Tf | Время спада импульса | F = 15 кГц | — | — | 1,0 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: