Описание
Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор общего применения.
Особенности:
- Мощный составной транзистор.
- Напряжение пробоя (Vcbo = 200 В).
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 200 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 200 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 12 | В |
Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 15/22 | А |
Ib | Ток базы | — | — | — | 1,0 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 65 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 200 В | — | — | 100 | мкА |
Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 7 В | — | — | 5,0 | мА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 3 В, Ic = 10 A | 1,5К | — | 30К | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 10 A, Ib = 30,0 мА | — | — | 1,5 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 10 A, Ib = 30,0 мА | — | — | 2 | В |
Ft | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Ic = 1,5 A | — | 20 | — | МГц |
Ton | Время включения | Ic = 10 А | — | — | 2 | мкс |
Tf | Время спада импульса | RI = 3 Ом, Ic = 10 А | — | — | 5 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: