Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
- Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 6 | В |
Ic | Ток коллектора | — | — | — | 8 | А |
Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 20 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Tc = 25 °C | — | — | 60 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcе = 1500 В | — | — | 1,0 | мА |
Vcb = 800 В | — | — | 10 | мкА | ||
Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 4 В, Ic = 0 | 40 | — | 130 | мА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 A | 15 | — | 30 | — |
Vce = 5 В, Ic = 5,0 A | 5 | — | 8 | |||
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А | — | — | 5 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А | — | — | 1,5 | В |
Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | Ice = 7 А | — | — | 2 | В |
Tf | Время спада импульса | Ic = 4 А, Ib = 0,8 А | — | — | 0,3 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: