2SD822 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SD822 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SD822 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Неизолированный корпус.
  • Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SC5855.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора 7,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 8 40
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6,0 A, Ib = 1,0 А 5,0 В
FT Граничная частота эффективного усиления  Ic = 2,0 А 3 МГц
Tf Время спада импульса 0,5 1,0 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.