2SD870 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SD870 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SD870 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Неизолированный корпус.
  • Встроенный демпферный диод.
  • Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SD2499.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора — — — 5,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,5 А — 8 — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А — — 5,0 В
FT Граничная частота эффективного усиления  Ic = 3,0 А — 1 — МГц
Tf Время спада импульса — — 0,5 1,0 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.