BU2506DF — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU2506DF и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU2506DF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 700 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3,0 А, Ib = 0,79 А 5,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 3,0 А
Ic Ток коллектора 5,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 8,0 А
Ib Ток базы 3 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 5 А
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде 1,6 В
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 45 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 3,0 A 5,5 7,0
Tf Время спада импульса Icm = 3,0 А, Ib = 0,67 А 0,25 0,5 мкс
Rbe Сопротивление резистора Rbe 55 Ом

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.