Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с большими диагоналями ЭЛТ.
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 800 | В |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 6,0 А, Ib = 1,2 А | — | — | 5,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | 6,0 | — | А |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 10,0 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 25,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 6 | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 9 | А |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 45 | Вт |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | — | — | — | 2,2 | В |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 6,0 A | — | 7,0 | 9,5 | — |
| Tf | Время спада импульса | Icm = 6,0 А, Ib = 1,0 | — | 0,35 | 0,5 | мкс |
| Rbe | Сопротивление резистора Rbe | — | — | 50 | — | Ом |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: