Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с большими диагоналями ЭЛТ.
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1500 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 800 | В |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 8,0 А, Ib = 1,6 А | — | — | 5,0 | В |
Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | 8,0 | — | А |
Ic | Ток коллектора | — | — | — | 12,0 | А |
Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 30,0 | А |
Ib | Ток базы | — | — | — | 8 | А |
Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 12 | А |
Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 45 | Вт |
Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | I = 5,5 А | — | — | 2,2 | В |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 8,0 A | — | 7,0 | 9,5 | — |
Tf | Время восстановления | Icm = 8,0 А, Ib = 1,1 | — | 3,0 | 4,0 | мкс |
Rbe | Сопротивление резистора Rbe | — | — | 55 | — | Ом |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: