BU2525DX — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU2525DX и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU2525DX и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с большими диагоналями ЭЛТ.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 800 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 8,0 А, Ib = 1,6 А 5,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 8,0 А
Ic Ток коллектора 12,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 30,0 А
Ib Ток базы 8 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 12 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 45 Вт
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 5,5 А 2,2 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 8,0 A 7,0 9,5
Tf Время восстановления Icm = 8,0 А, Ib = 1,1 3,0 4,0 мкс
Rbe Сопротивление резистора Rbe 55 Ом

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.