BU2527AF — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU2527AF и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU2527AF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Малое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 800 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6,0 А, Ib = 1,2 А 5,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 6,0 А
Ic Ток коллектора 12,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 30,0 А
Ib Ток базы 8 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 12 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 45 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 6,0 A 7,0 9,0

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.