Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1700 | В |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 7,0 А, Ib = 1,75 А | — | — | 1,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | F = 16 кГц | — | 7,0 | — | А |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 12,0 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 30 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 12 | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 20 | А |
| -Ib(av) | Обратный ток базы | среднее значение T = 20 мс | — | — | 200 | мА |
| -Ibm | Обратный ток базы, пиковое значение | — | — | — | 9 | А |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 45 | Вт |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | I = 7 А | — | 1,4 | 2,2 | В |
| Ts | Время установления | Ic_sat = 7,0 А, F = 16 кГц | — | 5,8 | 6,5 | мкс |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 1 В, Ic = 7,0 A | — | 5,8 | 7,8 | — |
| Rbe | Сопротивление резистора Rbe | — | — | 70 | — | Ом |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: