|
Описание
Кремниевый NPN транзистор для выходных каскадов строчной развертки.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 330 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 150 | В |
Vebo | Напряжение эмиттера-база | — | — | — | 6 | В |
Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 7,0 | А |
Ip | Ток коллектора импульсный | t = 10 мс | — | — | 15 | А |
Ib | Ток базы | — | — | — | 4,0 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 60 | Вт |
Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 6 В, Ic = 0 В | — | — | 1,0 | мА |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 0,5 А | — | — | 1 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 0,5 А | — | — | 1,2 | В |
fT | Граничная частота эффективного усиления | — | 10 | — | — | МГц |
Co | Выходная емкость | Vcb = 10 В, Ie = 0 В | — | 80 | — | пФ |
Tf | Время спада импульса | Индуктивная нагрузка Ic = 5,0 А, Ib = 0,5 А | — | — | 0,75 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: