BU4508DZ — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU4508DZ и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU4508DZ и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 800 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения F = 16 кГц 5,0 А
Ic Ток коллектора 8,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 15,0 А
Ib Ток базы 4 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 6 А
-Ibm Обратный ток базы, пиковое значение 5 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 32 Вт
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 5 А 1,85 2,2 В
Tf Время спада импульса Ic_sat = 5,0 А, F = 16 кГц 300 400 нс
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 4,0 A 5,7 7,3
Rbe Сопротивление резистора Rbe 25 Ом

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.