Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 800 | В |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 10,0 А, Ib = 2,22 А | — | — | 3,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | F = 32 кГц | — | 9,0 | — | А |
| F = 90 кГц | — | 8,0 | — | |||
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 16 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 40 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 10 | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 15 | А |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 125 | Вт |
| Tf | Время спада импульса | F = 32 кГц, Ic_sat = 9,0 А | — | 200 | 260 | нс |
| F = 90 кГц, Ic_sat = 8,0 А | — | 120 | — | |||
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 10,0 A | — | 6,6 | 8,5 | — |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: