Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и импульсных источников питания.
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vceo = 700 В
- Неизолированный корпус.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 700 | В |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 3 А, Ib = 1,33 А | — | — | 1,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | — | 3 | А |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 5,0 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 8,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | 3 | — | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | 5 | — | А |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 100 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,1 А | — | 13 | 30 | — |
| Tf | Время спада импульса при индуктивной нагрузке | — | — | 0,7 | — | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: