BU508AF — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU508AF и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU508AF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vceo = 700 В.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 700 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 А, Ib = 1,6 А 1,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения F = 16 кГц 4,5 А
Ic Ток коллектора 8,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 15,0 А
Ib Ток базы 4 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 6 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 34 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 100 mA 13 30
Tf Время спада импульса Ic_sat = 4,5 А, F = 16 кГц 0,7 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.