Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | Vbe = 0 В | — | — | 1500 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | Ib = 0 В | — | — | 700 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | Ic = 0 В | — | — | 10 | В |
Ic | Ток коллектора | — | — | — | 8,0 | А |
Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 15,0 | — |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Veb = 0 В, T = 25 °C | — | — | 1,0 | мА |
Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 100 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 4,5 А | — | — | 10 | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1,3 | В |
Ft | Граничная частота эффективного усиления | I = 5,0 A | — | 7 | — | МГц |
Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,55 | — | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: