Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный составной транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 700 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 10 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 8,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 15,0 | — |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 3 | А |
| Ток базы импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 8 | А | |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Veb = 0 В | — | — | 1,0 | мА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 300 | мА |
| fT | Граничная частота эффективного усиления | I = 5,0 А | — | 7 | — | МГц |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1,3 | В |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | I = 4,0 А | — | — | 2 | В |
| Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,55 | — | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: