Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный составной транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Мощный высоковольтный составной транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1400 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 700 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 8,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 10,0 | — |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 3 | А |
| Ток базы импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 6 | А | |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 52 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 1400 В, Veb = 0 В | — | — | 400 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 100 | мкА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 5,0 А | 60 | — | 230 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 0,5 А | — | — | 1,6 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 0,5 А | — | — | 2,1 | В |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | I = 5,0 А | — | — | 3 | В |
| Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,8 | — | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: