Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 700 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 10 | В |
Ic | Ток коллектора | — | — | — | 16,0 | А |
Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 22,0 | — |
Ib | Ток базы | — | — | — | 9 | А |
Ток базы импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 12 | А | |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 200 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Veb = 0 В | — | — | 200 | мкА |
Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 100 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 12,0 А | 7 | 10 | 14 | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 12,0 A, Ib = 2,4 А | — | — | 1,5 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 12,0 A, Ib = 2,4 А | — | — | 1,5 | В |
Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,18 | — | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: