BUL216 — кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор

Корпус транзистора BUL216 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUL216 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и пусковых схем осветительных приборов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  •  Высокое напряжение пробоя.
  • Неизолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1600 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В — — 9 В
Ic Ток коллектора — — — 4,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) — — — 6,0 А
Ib Ток базы — — — 2,0 А
Ток базы импульсный (t≤5 мс) — — — 4,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 90 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1600 В, Veb = 0 В — — 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10,0 мА 10 — — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А — — 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А — — 1,2 В
Tf Время спада импульса — — 0,6 — мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.