Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vces | Напряжение коллектор-эмиттер | Vbe = 0 | — | — | 800 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | Ib = 0 | — | — | 400 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | Ic = 0 В | — | — | 9 | В |
Ic | Ток коллектора | — | — | — | 5,0 | А |
Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 8,0 | А |
Ib | Ток базы | — | — | — | 2,0 | А |
Ibp | Ток базы импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 4,0 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 70 | Вт |
Ices | Обратный ток коллектора | Vce = 800 В, Veb = 0 В | — | — | 0,1 | мА |
Iceo | Обратный ток коллектора | Vce = 400 В, Ib = 0 | — | 0 | 0,25 | мА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 10,0 мА | 10 | — | — | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А | — | — | 0,5 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А | — | — | 1,1 | В |
Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | I = 3,0 А | — | — | 2,5 | В |
T | Время включения | резистивная нагрузка | 1,4 | — | — | мкс |
Tf | Время спада импульса | — | — | 0,15 | — | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: