Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания, преобразователей, схем управления моторами.
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой скорость переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1000 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 450 | В |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | — | — | — | 1,5 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | 2,5 | — | А |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 5,0 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 10,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 2 | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 4 | А |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 20 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,5 A | 20,0 | — | 35,0 | — |
| Vce = 5 В, Ic = 5 мA | 18 | — | 35 | |||
| Tf | Время спада импульса при резистивной нагрузке | Ic_sat = 2,5 А, Ib = 0,5 А | — | — | 0,8 | мс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: