Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 В | — | — | 1200 | В |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база (с отключ. эмиттером) | — | — | — | 1200 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 550 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 6,0 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 10 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 3 | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 5 | А |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 32 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,5 А | — | 30,0 | 47,0 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А | — | — | 1 | В |
| Tf | Время спада импульса | Ic_sat = 2,5 А, Ib = 0,5 А | — | 170 | 300 | нс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: