BUT11APX — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BUT11APX и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUT11APX и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Малое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V — — 1000 В
Vcbo Напряжение коллектор-база (с отключ. эмиттером) — — — 1000 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) — — — 450 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э , Ic = 3,0 A, Ib = 0,6 А — — 1,5 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения — — 3,5 — А
Ic Ток коллектора — — — 5,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение — — — 10,0 А
Ib Ток базы — — — 2 А
Ibm Ток базы, пиковое значение — — — 4 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 32 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 2,5 A — 13,5 17 —
Tf Время спада импульса Ic_sat = 2,5 А, Ib = 0,5 А — 145 160 нс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.