Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания, преобразователей, схем управления моторами.
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой скорость переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1000 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 450 | В |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | — | — | — | 1,5 | В |
Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | 2,5 | — | А |
Ic | Ток коллектора | — | — | — | 5,0 | А |
Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 10,0 | А |
Ib | Ток базы | — | — | — | 2 | А |
Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 4 | А |
Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 32 | Вт |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,5 A | 20,0 | — | 35,0 | — |
Tf | Время спада импульса | — | — | 150 | — | нс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: