BUV48C — кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор

Корпус транзистора BUV48C и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUV48C и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания промышленного оборудования.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Неизолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vces Напряжение коллектор-эмиттер Vbe = 0 — — 1200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 — — 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В — 7 В
Ic Ток коллектора — — — 15,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) — — — 30,0 А
Ib Ток базы — — — 4,0 А
 Ibp Ток базы импульсный (t≤5 мс) — — — 20,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 125 Вт
Ices Обратный ток коллектора Vcb = 1200 В, Veb = 0 В — — 500 мкА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 700 В, Ib = 0 — — 1000 мкА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6,0 A, Ib = 1,5 А — — 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 6,0 A, Ib = 1,5 А — — 1,5 В
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка — 0,33 — мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.