Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания, преобразователей, схем управления моторами.
Особенности:
- Высоковольтные транзисторы с высокой скорость переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1000 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 450 | В |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | — | — | — | 1,5 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | — | — | — | 8 | А |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 15 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 30 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 6 | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 9 | А |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 37 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 20 мA | 10 | 18 | 35,0 | — |
| Vce = 5 В, Ic = 1,5 мA | 10 | 20 | 35 | |||
| Tf | Время спада импульса при резистивной нагрузке | — | — | — | 0,8 | мс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: