FJA13009 — кремниевый NPN транзистор

Корпус транзистора FJA13009 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора FJA13009 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 400 В
Vebo Напряжение эмиттера-база — — — 9 В
Ic Ток коллектора постоянный — — — 12,0 А
Ip Ток коллектора импульсный — — — 24,0 А
Ib Ток базы — — — 6,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 130 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 В — — 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 8 — 40
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А 6 — 30
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 А, Ib = 1,0 А — — 1 В
Ic = 12,0 А, Ib = 3,0 А — — 3
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 А, Ib = 1,0 А — — 1,2 В
Ic = 8,0 А, Ib = 1,6 А — — 1,6
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 0,1 МГц — 180 — пФ
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,5 А 4 — — МГц
Tf Время спада импульса RI = 15,6 Ом — 0,7 — мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.