FJL6820 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор

Корпус транзистора FJL6820 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора FJL6820 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
  • Малое напряжение насыщения Vce_sat = 3 В.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 750 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора постоянный 20,0 А
Ip Ток коллектора импульсный 30,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 200 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 В 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 8
Vce = 5 В, Ic = 8,5 А 6 10
Vce = 5 В, Ic = 11,0 А 5,5 8,5
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 11,0 А, Ib = 2,75 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 11,0 А, Ib = 2,75 А 1,5 В
Tf Время спада импульса RI = 20 Ом 0,15 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.