| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | ГТ309А | 2SA272 | |||
| ГТ309Б | AFI78 | ||||
| ГТ309В | 2SA272 | ||||
| ГТ309Г | 2SA266 | ||||
| ГТ309Д | 2SA268 | ||||
| ГТ309Е | 2SA69 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | — | — | 75 | мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | А | — | ≥120 | МГц |
| Б | — | ≥120 | |||
| В | — | ≥80 | |||
| Г | — | ≥80 | |||
| Д | — | ≥80 | |||
| Е | — | ≥80 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | А | — | 10 | В |
| Б | — | 10 | |||
| В | — | 10 | |||
| Г | — | 10 | |||
| Д | — | 10 | |||
| Е | — | 10 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | А | — | 1.5 | В |
| Б | — | 1.5 | |||
| В | — | 1.5 | |||
| Г | — | 1.5 | |||
| Д | — | 1.5 | |||
| Е | — | 1.5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | А | — | 10 | мА |
| Б | — | 10 | |||
| В | — | 10 | |||
| Г | — | 10 | |||
| Д | — | 10 | |||
| Е | — | 10 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | А | 5 В | ≤5 | мкА |
| Б | 5 В | ≤5 | |||
| В | 5 В | ≤5 | |||
| Г | 5 В | ≤5 | |||
| Д | 5 В | ≤2 | |||
| Е | 5 В | ≤2 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | А | 5 В; 1 мА | 20…70 | |
| Б | 5 В; 1 мА | 60…180 | |||
| В | 5 В; 1 мА | 20…70 | |||
| Г | 5 В; 1 мА | 60…180 | |||
| Д | 5 В; 1 мА | 20…70 | |||
| Е | 5 В; 1 мА | 60…180 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | А | 5 В | ≤30 | пФ |
| Б | 5 В | ≤30 | |||
| В | 5 В | ≤30 | |||
| Г | 5 В | ≤30 | |||
| Д | 1.2 В | ≤40 | |||
| Е | 1.2 В | ≤40 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | А | — | — | Ом |
| Б | — | — | |||
| В | — | — | |||
| Г | — | — | |||
| Д | — | — | |||
| Е | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| Б | 1.6 МГц | ≤6 | |||
| В | 1.6 МГц | ≤6 | |||
| Г | — | — | |||
| Д | — | — | |||
| Е | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | А | — | ≤500 | пс |
| Б | — | ≤500 | |||
| В | — | ≤1000 | |||
| Г | — | ≤1000 | |||
| Д | — | ≤1000 | |||
| Е | — | ≤1000 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.