Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | ГТ403А | — | AD152 | ||
ГТ403Б | — | AD152, AD164 | |||
ГТ403В | — | ASY77 | |||
ГТ403Г | — | ADP466, ASY77 | |||
ГТ403Д | — | ASY80 | |||
ГТ403Е | — | AD155, AD169 | |||
ГТ403Ж | — | 5NU72 | |||
ГТ403И | — | АС124 | |||
ГТ403Ю | — | ASY80 | |||
Структура | — | p-n-p | Вт | ||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | А | — | 4* | |
Б | — | 4* | |||
В | — | 4* | |||
Г | — | 4* | |||
Д | — | 4* | |||
Е | — | 5* | |||
Ж | — | 4* | |||
И | — | 4* | |||
Ю | — | 4* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | А | — | ≥0.008** | МГц |
Б | — | ≥0.008** | |||
В | — | ≥0.008** | |||
Г | — | ≥0.006** | |||
Д | — | ≥0.006** | |||
Е | — | ≥0.008** | |||
Ж | — | ≥0.008** | |||
И | — | ≥0.008** | |||
Ю | ≥0.008** | ||||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | А | — | 45 | В |
Б | — | 45 | |||
В | — | 60 | |||
Г | — | 60 | |||
Д | — | 60 | |||
Е | — | 60 | |||
Ж | — | 80 | |||
И | — | 80 | |||
Ю | — | 45 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | А | — | 20 | В |
Б | — | 20 | |||
В | — | 20 | |||
Г | — | 20 | |||
Д | — | 30 | |||
Е | — | 20 | |||
Ж | — | 20 | |||
И | — | 20 | |||
Ю | — | 20 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | А | — | 1250 | мА |
Б | — | 1250 | |||
В | — | 1250 | |||
Г | — | 1250 | |||
Д | — | 1250 | |||
Е | — | 1250 | |||
Ж | — | 1250 | |||
И | — | 1250 | |||
Ю | — | 1250 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | А | 45 В | ≤50 | мкА |
Б | 45 В | ≤50 | |||
В | 60 В | ≤50 | |||
Г | 60 В | ≤50 | |||
Д | 60 В | ≤50 | |||
Е | 60 В | ≤50 | |||
Ж | 80 В | ≤50 | |||
И | 80 В | ≤50 | |||
Ю | 45 В | ≤50 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | А | 5 В; 0.1 А | 20…60 | |
Б | 5 В; 0.1 А | 50…150 | |||
В | 5 В; 0.1 А | 20…60 | |||
Г | 5 В; 0.1 А | 50…150 | |||
Д | 5 В; 0.1 А | 50…150 | |||
Е | 0.45 А | 30* | |||
Ж | 5 В; 0.1 А | 20…60 | |||
И | 0.45 А | 30* | |||
Ю | 5 В; 0.1 А | 30…60 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | А | — | — | пФ |
Б | — | — | |||
В | — | — | |||
Г | — | — | |||
Д | — | — | |||
Е | — | — | |||
Ж | — | — | |||
И | — | — | |||
Ю | — | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | А | — | ≤1 | Ом |
Б | — | ≤1 | |||
В | — | ≤1 | |||
Г | — | ≤1 | |||
Д | — | ≤1 | |||
Е | — | ≤1 | |||
Ж | — | ≤1 | |||
И | — | ≤1 | |||
Ю | — | ≤1 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | А | — | — | Дб, Ом, Вт |
Б | — | — | |||
В | — | — | |||
Г | — | — | |||
Д | — | — | |||
Е | — | — | |||
Ж | — | — | |||
И | — | — | |||
Ю | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | А | — | — | пс |
Б | — | — | |||
В | — | — | |||
Г | — | — | |||
Д | — | — | |||
Е | — | — | |||
Ж | — | — | |||
И | — | — | |||
Ю | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.