| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | ГТ701А | AD314, AD542 | |||
| Структура | — | — | p-n-p | ||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | А | — | 50 | Вт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | А | — | ≥0.05* | МГц |
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | А | 140 имп. | 55 | В |
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | А | — | 15 | В |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | А | — | 12 | А |
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | А | 20 В | ≤6 | мА |
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | А | 2 В; 6 А | 10* | |
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | А | — | — | пФ |
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | А | — | — | Ом |
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | А | — | — | пс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.