Описание
Кремниевый NPN транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с большими диагоналями ЭЛТ.
Особенности:
- Новое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
- Широкая область безопасной работы.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | Ie = 0 | — | — | 1700 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | Ib = 0 | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | Ic = 0 В | — | 10,0 | В | |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 24 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 36 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 12 | А |
| Ibp | Ток базы импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 18 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 75 | Вт |
| Ices | Обратный ток коллектора | Vce = 1700 В, Veb = 0 В | — | — | 200 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Vbe = 5 В, Ic = 0 | — | — | 10 | мкА |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 12,0 A, Ib = 3,0 А | — | — | 3 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 12,0 A, Ib = 3,0 А | — | — | 1,5 | В |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 12 А | 6,5 | — | 9,5 | — |
| Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,11 | — | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: