Транзисторная сборка К1НТ251

Цоколевка транзисторной сборки К1НТ251
Цоколевка транзисторной сборки К1НТ251

 

Параметры транзисторной сборки К1НТ251
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max К1НТ251 50 °С 400 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max К1НТ251 — ≥200 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. К1НТ251 1к 45* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  К1НТ251 — 4 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max К1НТ251 — 0.4(0.8*) А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO К1НТ251 45 В ≤6 мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э К1НТ251 5 В; 0.2 А ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э К1НТ251 10 В ≤15 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. К1НТ251 — ≤5 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых К1НТ251 — — Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) К1НТ251 — ≤200* пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.