KSC5027 — кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор

Корпус транзистора KSC5027 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора KSC5027 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор для использования в промышленном оборудовании.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттера-база — — — 7 В
Ic Ток коллектора постоянный — — — 3,0 А
Ip Ток коллектора импульсный — — — 10,0 А
Ib Ток базы — — — 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 В — — 10 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В — — 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,2 А 10 — 40
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 8 — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А — — 2 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А — — 1,5 В
tON Время включения Ic = 0,3 А, Ib = 0,06 А — — 0,5 мкс
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,2 А — 15 — МГц
Tf Время спада импульса RI = 200 Ом — — 0,3 мкс
KSC5027 N R O
hFE 10   20 15   30 20   40

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.