KSD5703 — кремниевый NPN транзистор

Корпус транзистора KSD5703 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора KSD5703 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN транзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
  • Малое напряжение насыщения Vce_sat = 5 В.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттера-база — — — 6 В
Ic Ток коллектора постоянный — — — 10,0 А
Ip Ток коллектора импульсный — — — 30,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 70 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 В — — 10 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 В — — 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 15 — 40
Vce = 5 В, Ic = 8,0 А 5,3 — 7,3
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 8,0 А, Ib = 1,8 А — — 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 8,0 А, Ib = 1,8 А — — 1,5 В
Tf Время спада импульса  RI = 33,3 Ом — 0,1 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.