Транзистор КТ3117

Цоколевка транзистора КТ3117
Цоколевка транзистора КТ3117

 

Параметры транзистора КТ3117
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ3117А 2N2121, 2N2221, 2N2478, ZT83, 

ZT84, 2N3326 *2, 2SC456 *2, 2SC46 *2, SL100 *3, 40577, BC341-6 *3, 

SG107 *2
КТ3117Б 2N2122, 2N2222, 2SC875 *3, ZT89 *3, BFY13, 2SC1211 *1, BC341-10 *3, SG332 *3, 40577 *2, BC509 *3, 2N4047, TIS135 *3, 2N2049 *2, BSY71 *2, 2SD1423AQ *1, 2SD1423AR *1, 2SD602A *3
КТ3117А-1 BFX94, NT2222, CD637, ВС509 *2, РА6034 *2, PN3642, MPS3642, 

CD635 *2
КТ3117Б9 ММВТ2222
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ3117А — 300(800**) мВт
КТ3117Б — 300
КТ3117А-1 — 500
КТ3117А9 — 300(800*)
КТ3117Б9 — 300
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ3117А — ≥200 МГц
КТ3117Б — ≥200
КТ3117А-1 — ≥200
КТ3117А9 — ≥200
КТ3117Б9 — ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ3117А — 60 В
КТ3109Б — 75
КТ3117А-1 — 60
КТ3117А9 — 60
КТ3117Б9 — 75
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ3117А  — 4 В
КТ3117Б — 4
КТ3117А-1 — 4
КТ3117А9 — 4
КТ3117Б9 — 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ3117А — 400(0.8*А) мА
КТ3117Б — 400(0.8*А)
КТ3117А-1 — 400(0.8*А)
КТ3117А9 — 400(0.8*А)
КТ3117Б9 — 400(0.8*А)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ3117А 60 В ≤10 мкА
КТ3117Б 75 В ≤10
КТ3117А-1 60 В ≤10
КТ3117А9 60 В ≤10
КТ3117Б9 75 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ3117А 5 В; 0.2 А 40…200*
КТ3117Б 5 В; 0.2 А 100…300*
КТ3117А-1 5 В; 0.2 А 40…200
КТ3117А9 5 В; 0.2 А 40…200*
КТ3117Б9 5 В; 0.2 А 10…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ3117А 10 В ≤10 пФ
КТ3117Б 10 В ≤10
КТ3117А-1 10 В ≤10
КТ3117А 10 В ≤10
КТ3117Б 10 В ≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ3117А — ≤1.2 Ом, дБ
КТ3117Б — ≤1.2
КТ3117А-1 — ≤1.2
КТ3117А9 — ≤1.2
КТ3117Б9 — ≤1.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ3117А — — Дб, Ом, Вт
КТ3117Б — —
КТ3117А-1 — —
КТ3117А9 — —
КТ3117Б9 — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ3117А — ≤80* пс
КТ3117Б — ≤80*
КТ3117А-1 — ≤80*
КТ3117А9 — ≤80*
КТ3117Б9 — ≤80*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам. тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.