| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ325А | 2N2615, 2N5835 *1, 2N3010 *1, MM1505 *1, BFR93R *1, 2N6598 *1, 2N6597 *1, 2N3832 *1, BFR91 *1, 2N3953 *1, MRF5031HX *1, MRF5031HXV | |||
| КТ325Б | 2SC1215, MSC3130T1 *1, BFQ22S *3, 2SC772 *3, KTC3121S *3 | ||||
| КТ325В | 2N2616, MSC3130T1 *3, 2SC4083Q *3, 2SC3838KQ *3, 2SC4326LK *3, 2SC4326LKQ *3 | ||||
| КТ325АМ | 2SC1188, MPS3563, MPSH02 *2, 2SC1856 *2, CD9018D *2, КТС2348 *2 | ||||
| КТ325БМ | 2SC612, SK3117 *2 | ||||
| КТ325ВМ | 2N5770, 2SC1395, CD9018 *2, CD9018H *2, CD90181 *2, 2SC3801Q *2, 2SC3801P *2 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ325А(М) | 85 °С | 225 | мВт |
| КТ325Б(М) | 85 °С | 225 | |||
| КТ325В(М) | 85 °С | 225 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ325А(М) | — | ≥800 | МГц |
| КТ325Б(М) | — | ≥800 | |||
| КТ325В(М) | — | ≥1000 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ325А(М) | 3к | 15* | В |
| КТ325Б(М) | 3к | 15* | |||
| КТ325В(М) | 3к | 15* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ325А(М) | — | 4 | В |
| КТ325Б(М) | — | 4 | |||
| КТ325В(М) | — | 4 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ325А(М) | — | 30(60*) | мА |
| КТ325Б(М) | — | 30(60*) | |||
| КТ325В(М) | — | 30(60*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ325А(М) | 15 В | ≤0.5 | мкА |
| КТ325Б(М) | 15 В | ≤0.5 | |||
| КТ325В(М) | 15 В | ≤0.5 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ325А(М) | 5 В; 10 мА | 30…90* | |
| КТ325Б(М) | 5 В; 10 мА | 70…210* | |||
| КТ325В(М) | 5 В; 10 мА | 160…400* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ325А(М) | 5 В | ≤2.5 |
пФ |
| КТ325Б(М) | 5 В | ≤2.5 | |||
| КТ325В(М) | 5 В | ≤2.5 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ325А(М) | — | — | Ом, дБ |
| КТ325Б(М) | — | — | |||
| КТ325В(М) | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ325А(М) | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ325Б(М) | — | — | |||
| КТ325В(М) | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ325А(М) | — | ≤125 | пс |
| КТ325Б(М) | — | ≤125 | |||
| КТ325В(М) | — | ≤125 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: