Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ326А | ВС178, BFX12 *2, 2N1676 *2, 2N1677 *2, 2N2279 *2, 2N3451 *2 | |||
КТ326Б | BFY19, CIL215 *3, 2N4411 *2, 2N4261, 2N4261J *2, 2N4260 *2, WA0493 *2, 2N4208 *2, 2N4258A *3, V405A *2 | ||||
КТ326АМ | BFX12, 2N5228 *2, PN3640, CD9011D *2, 2SA1161, 2N5208 *2 | ||||
КТ326БМ | BFX13, PN4258,
PN4258A, 2SA1206, 2N5771 |
||||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ326А(М) | 30 °С | 200 | мВт |
КТ326Б(М) | 30 °С | 200 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ326А(М) | — | ≥250 | МГц |
КТ326Б(М) | — | ≥400 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ326А(М) | 100к | 15* | В |
КТ326Б(М) | 100к | 15* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ326А(М) | — | 5 | В |
КТ326Б(М) | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ326А(М) | — | 50 | мА |
КТ326Б(М) | — | 50 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ326А(М) | 20 В | ≤0.5 | мкА |
КТ326Б(М) | 20 В | ≤0.5 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ326А(М) | 2 В; 10 мА | 20…70* | |
КТ326Б(М) | 2 В; 10 мА | 45…160* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ326А(М) | 5 В | ≤5 |
пФ |
КТ326Б(М) | 5 В | ≤5 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ326А(М) | — | ≤30 | Ом, дБ |
КТ326Б(М) | — | ≤30 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ326А(М) | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ326Б(М) | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ326А(М) | — | ≤450 | пс |
КТ326Б(М) | — | ≤450 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: