
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ350А | MPS6563, 2N2279 *1, 2N5221 *2, 2N995 *3 | |||
| КТ351А | ВС216, BFX12 *3, CD9011D *2 | ||||
| КТ351Б | ВС192, MPSH81, РМВТН81 *2, 2N3576 *3, BFX13 *3, 2SB542 *2 | ||||
| КТ352А | ВС355А, 2N869 | ||||
| КТ352Б | ВС355 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ350А | 30 °C | 300 | мВт |
| КТ351А | 30 °C | 300 | |||
| КТ351Б | 30 °C | 300 | |||
| КТ352А | 30 °C | 300 | |||
| КТ352Б | 30 °C | 300 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ350А | — | ≥100 | МГц |
| КТ351А | — | ≥200 | |||
| КТ351Б | — | ≥200 | |||
| КТ352А | — | ≥200 | |||
| КТ352Б | — | ≥200 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ350А | — | 20 | В |
| КТ351А | 10к | 15* | |||
| КТ351Б | 10к | 15* | |||
| КТ352А | — | 20 | |||
| КТ352Б | — | 20 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ350А | — | 5 | В |
| КТ351А | — | 5 | |||
| КТ351Б | — | 5 | |||
| КТ352А | — | 5 | |||
| КТ352Б | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ350А | — | 600* | мА |
| КТ351А | — | 400* | |||
| КТ351Б | — | 400* | |||
| КТ352А | — | 200* | |||
| КТ352Б | — | 200* | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ350А | 10 В | ≤1 | мкА |
| КТ351А | 10 В | ≤1 | |||
| КТ351Б | 10 В | ≤1 | |||
| КТ352А | 10 В | ≤1 | |||
| КТ352Б | 10 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ350А | 1 В; 0.5 А | 20…200* | |
| КТ351А | 1 В; 0.5 А | 20…80* | |||
| КТ351Б | 1 В; 0.3 А | 50…200* | |||
| КТ352А | 1 В; 0.2 А | 25…125* | |||
| КТ352Б | 1 В; 0.2 А | 70…300* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ350А | 5 В | ≤70 |
пФ |
| КТ351А | 5 В | ≤20 | |||
| КТ351Б | 5 В | ≤20 | |||
| КТ352А | 5 В | ≤15 | |||
| КТ352Б | 5 В | ≤15 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ350А | — | ≤2 | Ом, дБ |
| КТ351А | — | ≤1.5 | |||
| КТ351Б | — | ≤2.25 | |||
| КТ352А | — | ≤3 | |||
| КТ352Б | — | ≤3 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ350А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ351А | — | — | |||
| КТ351Б | — | — | |||
| КТ352А | — | — | |||
| КТ352Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ350А | — | — | пс |
| КТ351А | — | — | |||
| КТ351Б | — | — | |||
| КТ352А | — | — | |||
| КТ352Б | — | ≤150* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: