Транзистор КТ372

Цоколевка транзистора КТ372
Цоколевка транзистора КТ372

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Выпускаются в керамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Обозначение типа приводится на ярлыке, находящимся в индивидуальной упаковке. На крышке корпуса транзистора наносится условная маркировка цветными точками 2Т372А — одна зеленая, 2Т372Б
одна черная, 2Т372В — одна белая, КТ372А — две зеленые, КТ372Б -две черные, КТ372В — две белые. Масса транзистора не более 0,2 г.

 

Параметры транзистора КТ372
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ372А 2SC1090, MRF931LT1 *1, S822T *1, S852T *1, MRF931 *1, MMBR931LT3 *1, BFG25A/X *1, BFS25A *1, BFT25A *1, BFT25 *1, BFG25AW *1
КТ372Б BFR34, MRF931LT1 *1, S822T *1, S852T *1, MRF931 *1, MMBR931LT3 *1, BFG25A/X *1, BFS25A *1, BFT25A *1, BFT25 *1, BFG25AW *1
КТ372В 2N5652, MRF931LT1 *1, S822T *1, S852T *1, MRF931 *1, MMBR931LT3 *1, BFG25A/X *1, BFS25A *1, BFT25A *1, BFT25 *1, BFG25AW *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ372А 100 °C 50 мВт
КТ372Б 100 °C 50
КТ372В 100 °C 50
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ372А — ≥2400 МГц
КТ372Б — ≥3000
КТ372В — ≥2400
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ372А 10к 15* В
КТ372Б 10к 15*
КТ372В 10к 15*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ372А — 3 В
КТ372Б — 3
КТ372В — 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ372А — 10 мА
КТ372Б — 10
КТ372В — 10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ372А 15 В ≤0.5 мкА
КТ372Б 15 В ≤0.5
КТ372В 15 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ372А 5 В; 10 мА ≥10*
КТ372Б 5 В; 10 мА ≥10*
КТ372В 5 В; 10 мА ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ372А 5 В ≤1
 пФ
КТ372Б 5 В ≤1
КТ372В 5 В ≤1
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ372А 1 ГГц ≥10** Ом, дБ
КТ372Б 1 ГГц ≥10**
КТ372В 1 ГГц ≥10**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ372А — ≤3.5 Дб, Ом, Вт
КТ372Б — ≤5.5
КТ372В — ≤5.5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ372А — ≤9 пс
КТ372Б — ≤9
КТ372В — ≤9

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.