Транзистор КТ373

Цоколевка транзистора КТ373
Цоколевка транзистора КТ373

 

Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,2 г.

 

 

Параметры транзистора КТ373
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ373А ВС147А, ВС168А, BF253-3 *1, 2SC394О *1, 2SC394R *3, KTN5020О *1, КТN5020R *3, КТС388АО *1, КТC388AR *3, NTE319 *1
КТ373Б ВС147В, ВС167В, BF253-5 *1, 2SC388A-TM *1, KTN5020Y *3, КТС388AY *3, 2SC4618Q *3
КТ373В ВС148С, ВС168С, 2SC4997U *3, 2SC4998U *3, 2SC858 *3, 2SC859 *3
КТ373Г ВС 157, BCW47, 2SC394R *3, 2SC3504D *1, 2SC2216 *1, 2SC383TM *3, 2SC383 *3, BF224 *3, ECG319P *3, NTE319P *3, EN916 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ373А 55 °C 150 мВт
КТ373Б 55 °C 150
КТ373В 55 °C 150
КТ373Г 55 °C 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ373А ≥350 МГц
КТ373Б ≥300
КТ373В ≥300
КТ373Г ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ373А 10к 30* В
КТ373Б 10к 25*
КТ373В 10к 10*
КТ373Г 10к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ373А 5 В
КТ373Б 5
КТ373В 5
КТ373Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ373А 50(200*) мА
КТ373Б 50(200*)
КТ373В 50(200*)
КТ373Г 50(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ373А 25 В ≤0.05 мкА
КТ373Б 20 В ≤0.05
КТ373В 10 В ≤0.05
КТ373Г 25 В ≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ373А 5 В; 1 мА 100…250
КТ373Б 5 В; 1 мА 200…600
КТ373В 5 В; 1 мА 500…1000
КТ373Г 5 В; 1 мА 500…125
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ373А 5 В ≤8
пФ
КТ373Б 5 В ≤8
КТ373В 5 В ≤8
КТ373Г 5 В ≤8
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ373А ≤10 Ом, дБ
КТ373Б ≤10
КТ373В ≤10
КТ373Г ≤20
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ373А Дб, Ом, Вт
КТ373Б
КТ373В
КТ373Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ373А ≤200 пс
КТ373Б ≤300
КТ373В ≤700
КТ373Г ≤200

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.