Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится в этикетке. Масса транзистора не более 0,25 г.

 

Параметры транзистора КТ375

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ375А		BCW88A, 2N3903, 2N560 *1, 2N2520 *1, BCY65EDP *1, BCY65EPDL *1, BCY65EPDM *1
		КТ375Б		BSX80, 2N3904, PET8006 *1, PET8005 *1, 2SC460A, MPS9624 *2, CX917 *2, KTC9016 *2, PE108 *2, MPS8001 *2, BF254, BSX66 *3, 2N5223 *2, BFY37 *3
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ375А	—	200(400**)	мВт
		КТ375Б	—	200(400**)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ375А	—	≥250	МГц
		КТ375Б	—	≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ375А	—	60	В
		КТ375Б	—	30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ375А	—	5	В
		КТ375Б	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ375А	—	100(200*)	мА
		КТ375Б	—	100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ375А	60 В	≤1	мкА
		КТ375Б	30 В	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ375А	2 В; 20 мА	10…100*
		КТ375Б	2 В; 20 мА	50…280*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ375А	10 В	≤5	пФ
		КТ375Б	10 В	≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ375А	—	≤40	Ом, дБ
		КТ375Б	—	≤40
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ375А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ375Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ375А	—	≤300	пс
		КТ375Б	—	≤300

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.