Описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты и СВЧ. Выпускаются в металокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками 2Т382А — одна черная, КТ382А — две черные 2Т382Б — одна красная, КТ382Б — две красные. Масса транзистора не более 0,3 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ382А(М) | 2N5032 *3, MRF5031HX *1 | |||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ382А(М) | 65 °C (85 °C) | 100 | мВт |
КТ382Б(М) | 65 °C (85 °C) | 100 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ382А(М) | — | ≥1800 | МГц |
КТ382Б(М) | — | ≥1800 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ382А(М) | — | 15 | В |
КТ382Б(М) | — | 15 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ382А(М) | — | 3 | В |
КТ382Б(М) | — | 3 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ382А(М) | — | 20(40*) | мА |
КТ382Б(М) | — | 20(40*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ382А(М) | 15 В | ≤0.5 | мкА |
КТ382Б(М) | 15 В | ≤0.5 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ382А(М) | 1 В; 5 мА | 40…330* | |
КТ382Б | 1 В; 5 мА | 40…330* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ382А(М) | 5 В | ≤2 |
пФ |
КТ382Б(М) | 5 В | ≤2 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ382А(М) | 400 МГц | ≥9** | Ом, дБ |
КТ382Б(М) | 400 МГц | ≥5** | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ382А(М) | 400 МГц | ≤3 | Дб, Ом, Вт |
КТ382Б(М) | 400 МГц | ≤4.5 | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ382А(М) | — | ≤15 | пс |
КТ382Б(М) | — | ≤10 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: